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onsemi FDD5810-F085
| Artikelnummer: | FDD5810-F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi FDD5810-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDD5810-F085.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 32A, 10V Verlustleistung (max) 72W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Ta), 37A (Tc) Grundproduktnummer FDD581 FDD5810-F085 Einzelheiten PDF [English] FDD5810-F085 PDF - EN.pdf -
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